tcnq是什么 ca相對(duì)分子質(zhì)量怎么樣

主板電容與其他電容有什么區(qū)別嗎？？TCNQ是不是平面型分子，TCNQ是什么試劑？什么叫坑肥因子？BBBJTCNQNS什么意思？TTF是什么化學(xué)試劑？

本文導(dǎo)航

• 如何判斷主板上的電容
• ca相對(duì)分子質(zhì)量怎么樣
• kscn試劑作用
• 全價(jià)肥是什么肥
• c h s t w是什么意思
• kf試劑怎么用

如何判斷主板上的電容

沒(méi)有區(qū)別的,都是可以通用的,但是一般電腦的電容會(huì)使用品牌的廠商!

隨便來(lái)點(diǎn)小知識(shí)共享一下:

電容生產(chǎn)廠商:

日系名廠

Nichicon(藍(lán)寶石) Rubycon(紅寶石) KZG（日系） Sanyo(三洋) KZE(日系） Panasonic(松下)

二線廠商 OST(臺(tái)灣) Jackcon (融盈 臺(tái)灣) Nippon(日系) Teapo(智寶 臺(tái)灣） Taicon （臺(tái)灣）

其他廠商 Sacon（士康 韓國(guó)） GSC(臺(tái)灣） Chocon （臺(tái)灣） Fcon （臺(tái)灣）

國(guó)產(chǎn)廠商 FCON 金富康 LM 佛山利明

貫用電容品牌:

主板廠商 貫用電容品牌 主板廠商 貫用電容品牌

升技 Rubycon 華擎 KZG KZE

華碩 Nichicon KZG 映泰 OST

磐正 Sanyo OST GSC 技嘉 Rubycon KZG OST

捷波 GSC 聯(lián)冠 Fcon

美達(dá) Choyo 微星 KZG OST

昂達(dá) KZG 七彩虹 Taicon

雙捷 Chocon 碩泰克 Sanyo Sacon GSC(爆漲之王)

雙敏 OST

主板電容：6.3V1000UF 6.3V1500UF 6.3V2200UF 6.3V3300UF 6.3V4700UF

10V1000UF 10V1500UF 10V2200UF 10V4700UF 10V3300UF

16V1000UF 16V1500UF 16V2200UF 16V3300UF 16V4700UF

電容的基礎(chǔ)知識(shí) (1)

根據(jù)介質(zhì)的不同，同時(shí)結(jié)合實(shí)際應(yīng)用中的具體情況，我們把電容器簡(jiǎn)單分為三類

第一類：電解類

電解電容器是指在鋁、鉭、鈮、鈦等閥金屬的表面采用陽(yáng)極氧化法生成一薄層氧化物作為電介質(zhì)，以電解質(zhì)作為陰極而構(gòu)成的電容器。目前最常用的電解電容有鋁電解和鉭電解。

廣義上講，電解質(zhì)包括電解液、二氧化錳、有機(jī)半導(dǎo)體TCNQ、導(dǎo)體聚合物（PPy、PEDT）、凝膠電解質(zhì)PEO等。后面的幾種是目前比較尖端的電容器。

注意：電解質(zhì)和電介質(zhì)的不同。

第二類：薄膜類

以往的紙介電容器、塑料薄膜電容器多用板狀或條狀的鋁箔作為電極，現(xiàn)在，大多采用真空蒸鍍的方式在電容器紙、有機(jī)薄膜等的表面涂覆金屬薄層作為電極。由于金屬化形式的出現(xiàn)，該類電容器在小型化和片式化方面有了長(zhǎng)足的發(fā)展，對(duì)電解電容器構(gòu)成一定的挑戰(zhàn)和威脅。

第三類：瓷介類

陶瓷電容器采用鈦酸鋇、鈦酸鍶等高介電常數(shù)的陶瓷材料作為電介質(zhì)，在電介質(zhì)的表面印刷電極漿料，經(jīng)低溫?zé)Y(jié)制成。陶瓷電容器的外形以片式居多，也有管形、圓片形等形狀。

5、 國(guó)產(chǎn)電容器的命名

電容器的名字一般有四部分

第一部分：名稱，用字母表示，電容器用C。

第二部分：材料，用字母表示。

第三部分：分類，一般用數(shù)字表示，個(gè)別用字母表示。

第四部分：序號(hào)，用數(shù)字表示。

用字母表示產(chǎn)品的材料：A-鉭電解、B-聚苯乙烯等非極性薄膜、C-高頻陶瓷、D-鋁電解、E-其它材料電解、G-合金電解、H-復(fù)合介質(zhì)、I-玻璃釉、J-金屬化紙、L-滌綸等極性有機(jī)薄膜、N-鈮電解、Q-漆膜、T-低頻陶瓷、V-云母紙、Y-云母、Z-紙介、BB- 聚丙烯薄膜

CCG10A-2 C C 1 CT 4

電容器 小圓片 獨(dú)石

高頻瓷 高頻瓷 低頻瓷

高功率 電容 電容

高頻高功率電容器

數(shù)字含義：

電解方面各廠家有不同的使用方法，不一而足。

薄膜電容：材料后面的第一個(gè)數(shù)字1表示箔式有感2表示金屬化6表示交流8表示高壓

瓷介電容: 材料后面的第一個(gè)數(shù)字1表示圓片型4表示獨(dú)石型8表示高壓

6、 關(guān)于電解的一些情況

2 電容器是使用最廣，用量最大，且不可取代的電子元件，其產(chǎn)量約占電子元件的40％，而鋁電解電容器又占三大類電容器（電解電容器、陶瓷電容器、有機(jī)薄膜電容器）產(chǎn)量的36.8％。電解電容器是10年來(lái)我國(guó)發(fā)展速度最快的元件之一，目前，國(guó)內(nèi)電解電容器的年生產(chǎn)總量接近250億只，年平均增長(zhǎng)率高達(dá)28％，占全球電解電容器產(chǎn)量的1/3。在發(fā)展過(guò)程中，鋁電解電容器也有來(lái)自集成電路、整機(jī)電路的改進(jìn)和在高壓、高頻、長(zhǎng)壽命、小容量應(yīng)用領(lǐng)域中其它電容器（如多層獨(dú)石陶瓷電容器、金屬化薄膜電容器、鉭電解電容器等）的相互滲透。鋁電解電容器自身也在不斷改進(jìn)、完善和創(chuàng)新。尤其是隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，社會(huì)需求的提高，環(huán)境的改善，新型整機(jī)的誕生，使小型化、片式化和中高壓大容量鋁電解電容器的應(yīng)用領(lǐng)域不斷拓寬，需求量越來(lái)越大。因此，鋁電解電容器不僅不會(huì)萎縮，而且還具有更強(qiáng)的生命力和更廣闊的發(fā)展空間，會(huì)有更快的增長(zhǎng)速度。

2 電解電容的特點(diǎn)

電解電容器特點(diǎn)一：?jiǎn)挝惑w積的電容量非常大，比其它種類的電容大幾十到數(shù)百倍。

電解電容器特點(diǎn)二：額定的容量可以做到非常大，可以輕易做到幾萬(wàn)μf甚至幾f（但不能和雙電層電容相比）。

電解電容器特點(diǎn)三：價(jià)格比其它種類具有壓倒性優(yōu)勢(shì)，因?yàn)殡娊怆娙莸慕M成材料都是普通的工業(yè)材料，比如鋁等等。制造電解電容的設(shè)備也都是普通的工業(yè)設(shè)備，可以大規(guī)模生產(chǎn)，成本相對(duì)比較低。

2 電解電容的缺點(diǎn)

內(nèi)部損耗大：此主要是由于電解液所形成的電阻 加上相對(duì)于容量下鋁箔及接點(diǎn)本身的電阻所形成 此內(nèi)電阻 在等價(jià)電路上為串聯(lián)電阻亦即影響逸散因子的因素。在大電流充放電時(shí)，可能會(huì)引致發(fā)熱等現(xiàn)象。

靜電容量誤差大：因?yàn)殡娊怆娙萜鞯拇蟛糠蛛娙萘渴且揽夸X箔表面凹凸不平的曲面及電解形成的氧化膜介質(zhì)所形成，而此二者不管在進(jìn)行處理或使用時(shí)，性質(zhì)均不安定，使得許多電解質(zhì)電容器的容量誤差為標(biāo)示值的-20％到+80％。為此項(xiàng)缺陷在電源電路中并無(wú)所影響。

漏電流大：主要是因?yàn)榻橘|(zhì)特性的關(guān)系，此在使用于交連等需要隔絕直流之處宜特別注意。

長(zhǎng)期儲(chǔ)存后，漏電流有增大及容量降低之傾向：此乃由于氧化鋁膜長(zhǎng)期浸漬在電解液中，使鋁膜的介質(zhì)特性劣化所致，但可于施加電壓若干時(shí)間后恢復(fù)之。

2 電解電容的構(gòu)造和生產(chǎn)過(guò)程（以普通得引線鋁電解和引線鉭電解為例）

a、鋁電解的構(gòu)造和生產(chǎn)過(guò)程

鋁電解基本由正極箔+氧化膜（不能獨(dú)立于正極箔存在）+電解紙（浸有電解液）+負(fù)極箔+外殼+膠塞+引線+套管 （可參看實(shí)物）

第一步：鋁箔的腐蝕:增加面積幾十到幾百倍，凹凸不平

第二步：氧化膜形成工藝：形成具有單向?qū)щ娦缘难趸?/p>

第三步：鋁箔的切割

第四步：引線的鉚接

第五步：電解紙的卷繞

第六步：電解液的浸漬

第七步：裝配：加鋁殼跟膠塞

第八步：卷邊：加套管

第九步：老化：額定電壓跟額定溫度下

b、鉭電容的構(gòu)造和生產(chǎn)過(guò)程

固體鉭電解基本由鉭粉（正極）+氧化膜（不能獨(dú)立于鉭粉存在）+二氧化錳+銀粉+石墨+環(huán)氧樹脂+引線

第一步：將鉭粉和有機(jī)溶劑摻雜在一起，按照一定的形狀加壓成形，同時(shí)埋入鉭引線。

第二步：在2000度以上的真空高溫環(huán)境下，將摻雜有機(jī)溶劑的鉭粉在真空中進(jìn)行燒結(jié)變成類似于海綿的狀態(tài)，同時(shí)和引線真正地融合在一起。

第三步：將海綿狀的鉭，泡在磷酸溶液里面電解，氧化后表面即生成五氧化二鉭。五氧化二鉭的介電常數(shù)非常高，在27左右，性能高于鋁電解電容的三氧化二鋁介質(zhì)（介電常數(shù)7左右）。

第四步：將液態(tài)的硝酸錳加入鉭塊，然后將其在水蒸汽（催化劑）環(huán)境中進(jìn)行熱分解，分別成二氧化錳與二氧化氮。硝酸錳吸附性好，生成的二氧化錳可以完全吸附在海面狀鉭塊內(nèi)部的無(wú)數(shù)個(gè)小孔當(dāng)中。假如這里直接使用固體的二氧化錳，就無(wú)法達(dá)到這種效果，這就是為什么二氧化錳只能在制造過(guò)程中得到的原因。假如使用PPY/PEDT等固體聚合物，因其溶點(diǎn)很低，就可以直接將其熔解然后放進(jìn)去。

第五步： 最后要將銀粉和石墨涂在二氧化錳的表面上，減少它的ESR，增強(qiáng)它的導(dǎo)電性。

第六步： 加入外引線，然后用環(huán)氧樹脂進(jìn)行封裝

電容的基礎(chǔ)知識(shí)(2)

電子制作中需要用到各種各樣的電容器，它們?cè)陔娐分蟹謩e起著不同的作用。與電阻器相似，通常簡(jiǎn)稱其為電容，用字母C表示。顧名思義，電容器就是“儲(chǔ)存電荷的容器”。盡管電容器品種繁多，但它們的基本結(jié)構(gòu)和原理是相同的。兩片相距很近的金屬中間被某物質(zhì)（固體、氣體或液體）所隔開，就構(gòu)成了電容器。兩片金屬稱為的極板，中間的物質(zhì)叫做介質(zhì)。電容器也分為容量固定的與容量可變的。但常見的是固定容量的電容，最多見的是電解電容和瓷片電容。

不同的電容器儲(chǔ)存電荷的能力也不相同。規(guī)定把電容器外加1伏特直流電壓時(shí)所儲(chǔ)存的電荷量稱為該電容器的電容量。電容的基本單位為法拉（F）。但實(shí)際上，法拉是一個(gè)很不常用的單位，因?yàn)殡娙萜鞯娜萘客?法拉小得多，常用微法（μF）、納法（nF）、皮法（pF）（皮法又稱微微法）等，它們的關(guān)系是：1法拉（F）= 1000000微法（μF） 1微法（μF）= 1000納法（nF）= 1000000皮法（pF）

在電子線路中，電容用來(lái)通過(guò)交流而阻隔直流，也用來(lái)存儲(chǔ)和釋放電荷以充當(dāng)濾波器，平滑輸出脈動(dòng)信號(hào)。小容量的電容，通常在高頻電路中使用，如收音機(jī)、發(fā)射機(jī)和振蕩器中。大容量的電容往往是作濾波和存儲(chǔ)電荷用。而且還有一個(gè)特點(diǎn)，一般1μF以上的電容均為電解電容，而1μF以下的電容多為瓷片電容，當(dāng)然也有其他的，比如獨(dú)石電容、滌綸電容、小容量的云母電容等。電解電容有個(gè)鋁殼，里面充滿了電解質(zhì)，并引出兩個(gè)電極，作為正（+）、負(fù)（-）極，與其它電容器不同，它們?cè)陔娐分械臉O性不能接錯(cuò)，而其他電容則沒(méi)有極性。

把電容器的兩個(gè)電極分別接在電源的正、負(fù)極上，過(guò)一會(huì)兒即使把電源斷開，兩個(gè)引腳間仍然會(huì)有殘留電壓（學(xué)了以后的教程，可以用萬(wàn)用表觀察），我們說(shuō)電容器儲(chǔ)存了電荷。電容器極板間建立起電壓，積蓄起電能，這個(gè)過(guò)程稱為電容器的充電。充好電的電容器兩端有一定的電壓。電容器儲(chǔ)存的電荷向電路釋放的過(guò)程，稱為電容器的放電。

舉一個(gè)現(xiàn)實(shí)生活中的例子，我們看到市售的整流電源在拔下插頭后，上面的發(fā)光二極管還會(huì)繼續(xù)亮一會(huì)兒，然后逐漸熄滅，就是因?yàn)槔锩娴碾娙菔孪却鎯?chǔ)了電能，然后釋放。當(dāng)然這個(gè)電容原本是用作濾波的。至于電容濾波，不知你有沒(méi)有用整流電源聽隨身聽的經(jīng)歷，一般低質(zhì)的電源由于廠家出于節(jié)約成本考慮使用了較小容量的濾波電容，造成耳機(jī)中有嗡嗡聲。這時(shí)可以在電源兩端并接上一個(gè)較大容量的電解電容（1000μF，注意正極接正極），一般可以改善效果。發(fā)燒友制作 HiFi音響，都要用至少1萬(wàn)微法以上的電容器來(lái)濾波，濾波電容越大，輸出的電壓波形越接近直流，而且大電容的儲(chǔ)能作用，使得突發(fā)的大信號(hào)到來(lái)時(shí)，電路有足夠的能量轉(zhuǎn)換為強(qiáng)勁有力的音頻輸出。這時(shí)，大電容的作用有點(diǎn)像水庫(kù)，使得原來(lái)洶涌的水流平滑地輸出，并可以保證下游大量用水時(shí)的供應(yīng)。

電容器的選用涉及到很多問(wèn)題。首先是耐壓的問(wèn)題。加在一個(gè)電容器的兩端的電壓超過(guò)了它的額定電壓，電容器就會(huì)被擊穿損壞。一般電解電容的耐壓分檔為6.3V，10V，16V，25V，50V等。

電容的基礎(chǔ)知識(shí)（3）

一、電容的分類和作用

電容(Electric capacity)，由兩個(gè)金屬極，中間夾有絕緣材料（介質(zhì)）構(gòu)成。由于絕緣材料的不同，所構(gòu)成的電容器的種類也有所不同：

按結(jié)構(gòu)可分為：固定電容，可變電容，微調(diào)電容。

按介質(zhì)材料可分為：氣體介質(zhì)電容，液體介質(zhì)電容，無(wú)機(jī)固體介質(zhì)電容，有機(jī)固體介質(zhì)電容電解電容。

按極性分為：有極性電容和無(wú)極性電容。 我們最常見到的就是電解電容。

電容在電路中具有隔斷直流電，通過(guò)交流電的作用，因此常用于級(jí)間耦合、濾波、去耦、旁路及信號(hào)調(diào)諧

二、電容的符號(hào)

電容的符號(hào)同樣分為國(guó)內(nèi)標(biāo)表示法和國(guó)際電子符號(hào)表示法，但電容符號(hào)在國(guó)內(nèi)和國(guó)際表示都差不多，唯一的區(qū)別就是在有極性電容上，國(guó)內(nèi)的是一個(gè)空筐下面一根橫線，而國(guó)際的就是普通電容加一個(gè)“＋”符號(hào)代表正極。

三、電容的單位

電阻的基本單位是：F （法），此外還有μF（微法）、pF（皮法），另外還有一個(gè)用的比較少的單位，那就是：nF（），由于電容 F 的容量非常大，所以我們看到的一般都是μF、nF、pF的單位，而不是F的單位。

他們之間的具體換算如下：

1F＝1000000μF

1μF=1000nF=1000000pF

四、電容的耐壓 單位：V（伏特）

每一個(gè)電容都有它的耐壓值，這是電容的重要參數(shù)之一。普通無(wú)極性電容的標(biāo)稱耐壓值有：63V、100V、160V、250V、400V、600V、 1000V等，有極性電容的耐壓值相對(duì)要比無(wú)極性電容的耐壓要低，一般的標(biāo)稱耐壓值有：4V、6.3V、10V、16V、25V、35V、50V、 63V、80V、100V、220V、400V等。

五、電容的種類

電容的種類有很多，可以從原理上分為：無(wú)極性可變電容、無(wú)極性固定電容、有極性電容等，從材料上可以分為：CBB電容（聚乙烯），滌綸電容、瓷片電容、云母電容、獨(dú)石電容、電解電容、鉭電容等。下面是各電容的優(yōu)缺點(diǎn)：

各種電容的優(yōu)缺點(diǎn)

極性 名稱 制作 優(yōu)點(diǎn) 缺點(diǎn)

無(wú) 無(wú)感CBB電容 2層聚丙乙烯塑料和2層金屬箔交替夾雜然后捆綁而成。 無(wú)感，高頻特性好，體積較小 不適合做大容量，價(jià)格比較高，耐熱性能較差。

無(wú) CBB電容 2層聚乙烯塑料和2層金屬箔交替夾雜然后捆綁而成。 有感，其他同上。

無(wú) 瓷片電容 薄瓷片兩面渡金屬膜銀而成。 體積小，耐壓高，價(jià)格低，頻率高（有一種是高頻電容） 易碎！容量低

無(wú) 云母電容 云母片上鍍兩層金屬薄膜 容易生產(chǎn)，技術(shù)含量低。 體積大，容量小，（幾乎沒(méi)有用了）

無(wú) 獨(dú)石電容 體積比CBB更小，其他同CBB，有感

有 電解電容 兩片鋁帶和兩層絕緣膜相互層疊，轉(zhuǎn)捆后浸泡在電解液（含酸性的合成溶液）中。 容量大。 高頻特性不好。

有 鉭電容 用金屬鉭作為正極，在電解質(zhì)外噴上金屬作為負(fù)極。 穩(wěn)定性好，容量大，高頻特性好。 造價(jià)高。（一般用于關(guān)鍵地方）

表1

六、電容的標(biāo)稱及識(shí)別方法

由于電容體積要比電阻大，所以一般都使用直接標(biāo)稱法。如果數(shù)字是0.001，那它代表的是0.001uF＝1nF，如果是10n，那么就是10nF，同樣100p就是100pF。

不標(biāo)單位的直接表示法：用1~4位數(shù)字表示，容量單位為pF，如350為350pF，3為3pF，0.5為0.5pF

色碼表示法：沿電容引線方向，用不同的顏色表示不同的數(shù)字，第一，二種環(huán)表示電容量，第三種顏色表示有效數(shù)字后零母鍪 ǖノ晃猵F）

顏色意義：黑=0、棕=1、紅=2、橙=3、黃=4、綠=5、藍(lán)=6、紫=7、灰=8、白=9。

電容的識(shí)別：看它上面的標(biāo)稱，一般有標(biāo)出容量和正負(fù)極，也有用引腳長(zhǎng)短來(lái)區(qū)別正負(fù)極長(zhǎng)腳為正，短腳為負(fù)。

大家一起來(lái)摩機(jī)――電容的搭配

大家一起來(lái)摩機(jī)――電容的搭配

在本節(jié)中，我們要給大家講一講電解電容和薄膜電容的搭配問(wèn)題。本文中使用的方法和得出的結(jié)果均為自己試驗(yàn)的結(jié)果，聽友們?cè)趧e的地方是看不見這樣的資料的，也正因?yàn)槭亲约涸囼?yàn)的結(jié)果，所以可能會(huì)有一些疏漏甚至是錯(cuò)誤的地方，歡迎大家指正。

在一個(gè)電器中，尤其是在CD中，電容發(fā)揮著巨大的作用，因?yàn)樵谝繇懫鞑闹?，電容的用量是相?dāng)大的，尤其是在cd中間，很多集成塊是必須的而且選擇的余地幾乎沒(méi)有，不像功放中的放大管，可以有很多選擇，因此在cd中，一旦把集成塊固定了之后，你能選擇的也只有電容和電阻了，由于電阻對(duì)聲音的音響比電容的影響小的多，所以電容就是我們關(guān)注的重中之重。當(dāng)然電阻的作用較小也是相對(duì)的，比如說(shuō)輸入和輸出電阻對(duì)器材的影響就較大，但是其他電阻的影響較小。

既然器材中需要大量的電容，于是一些列的問(wèn)題就出現(xiàn)了，這么多的品牌到底應(yīng)該用哪一種？解碼濾波芯片為cs4390,cs8412,cs8414, pcm1732,pmd-100,pmd-200,運(yùn)放不低于opa2604，那么你的機(jī)器經(jīng)過(guò)重新的電容搭配后，聲音都會(huì)有巨大的改變，可以輕易擊敗原來(lái)的機(jī)器。下面我就以CD為例來(lái)說(shuō)明電容的選擇和搭配。

要對(duì)機(jī)器中的電容進(jìn)行精妙的搭配，除了你手頭有足夠多的精品電容外，還必須有一個(gè)重要的先決條件，那就是你要有一個(gè)足夠靈敏的耳朵，因?yàn)樵谶@個(gè)過(guò)程中，儀器能提供的幫助非常有限，尤其是在薄膜電容方面，常用的儀器幾乎不能發(fā)揮作用，這時(shí)候全憑你的評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)和耳朵來(lái)驗(yàn)聲。搭配電容時(shí)先固定下來(lái)容量大的電容，然后再分別上容量小的電容，這時(shí)候每個(gè)位置可能都有幾個(gè)品牌的電容供你選擇，除了耐心的對(duì)比外你沒(méi)有更好的選擇。當(dāng)你把每個(gè)電容固定下來(lái)后，還必須做一個(gè)反向的工作，那就是把你加上去的小電容再以從小到大的順序分別取下來(lái)，看看聲音有沒(méi)有變化，因?yàn)槲覀儗?duì)電容的重新組合是從多個(gè)地方動(dòng)手，這樣對(duì)聲音的修飾可能會(huì)有重疊，因此最后這一步是必不可少的。如果你取下一個(gè)電容后，聲音并沒(méi)有改變，那就是說(shuō)你的修飾出現(xiàn)了重疊，你在其他地方的修飾已經(jīng)可以發(fā)揮你取下的這個(gè)電容發(fā)揮的作用，這樣這個(gè)電容就可以去掉，如果取下這個(gè)電容后聲音變差了，那就說(shuō)明這個(gè)電容的是必須的，這個(gè)電容就要保留。另外需要提醒大家的是，電容安裝上后，使用一段時(shí)間聲音會(huì)有微妙的變化，一般來(lái)說(shuō)，起初聽上去聲音粗的電容后來(lái)會(huì)變細(xì)，聲音細(xì)的電容使用一段時(shí)間后聲音會(huì)變粗，所以不要安裝好后簡(jiǎn)單聽聽就下結(jié)論，還是要耐心煲透。

無(wú)論是設(shè)計(jì)一個(gè)器材或是摩機(jī)都要明白，我們所作的一切都是為了還原信號(hào)，我們的修飾只是在信號(hào)確實(shí)無(wú)法完整還原時(shí)所采取的不得已的手段。因此在摩機(jī)時(shí)候，就必須遵循這樣一個(gè)原則，離信號(hào)最終輸出端越遠(yuǎn)的地方，你越要考慮還原問(wèn)題，而在離輸出端較近的地方，這時(shí)候信號(hào)已經(jīng)出現(xiàn)了不可避免的失真和變形，這時(shí)候可以多考慮修飾問(wèn)題。

在cd中需要?jiǎng)邮纸M合電容的地方有三大塊，一塊是轉(zhuǎn)盤供電部分的濾波電容，二是數(shù)模轉(zhuǎn)換以及隨后的運(yùn)放濾波部分，三是輸出耦合部分。其中離最終信號(hào)輸出最遠(yuǎn)的是第一部分，最近的是第三部分。因此在轉(zhuǎn)盤的供電部分，盡量注意還原而不是修飾。在目前能找到的高級(jí)電容中，對(duì)聲音修飾最少的應(yīng)該是ROE這款電解電容，因此在這一環(huán)節(jié)可以考慮用這款電容，而不是rifa和思碧。我們都知道電容有分頻作用，不同的容量電容可以讓不同頻率的信號(hào)更好的通過(guò)，一般大容量電容適合低頻通過(guò)，二小容量電容適合高頻通過(guò)。通常的器材在這一塊往往使用兩枚3700u的電容，也有用4700u的，所有的信號(hào)都通過(guò)這兩個(gè)電容，這就導(dǎo)致低頻信號(hào)比較暢通，但是高頻信號(hào)會(huì)出現(xiàn)衰減，所以我們要并聯(lián)兩個(gè)小的優(yōu)質(zhì)薄膜電容，為高頻信號(hào)提供直通的途徑。

為了使各個(gè)頻段的信號(hào)都有專用的通道，濾波電容也應(yīng)該進(jìn)行不同電容量的電容的搭配。比如說(shuō)選擇同一廠家同一型號(hào)同一電壓的大小不同的電容并聯(lián)。具體的選擇為2200u,1000u,680u,470u,220u,100u,低于100的可以考慮薄膜電容。但是目前市場(chǎng)上很難找到這么齊全的ROE電容，因此只能做2200，1000，和470的搭配，注意，1000u的要用兩個(gè)，讓每個(gè)聲道的容量達(dá)到5000u左右，如果容量太小，機(jī)器讀盤不好，會(huì)挑盤。為了照顧高頻信號(hào)。必須用一些優(yōu)質(zhì)薄膜電容，建議使用ero的薄膜電容，用10u,1u和0.1u,如果感覺(jué)聲音過(guò)亮，也可以加一個(gè)思碧的電容，容量在1- 2u,思碧容量不要偏離這個(gè)容量太大。不管是否加思碧電容，容量最小的那個(gè)電容一定要是ero的，這對(duì)音場(chǎng)的影響極大。在這一步也可以不用這么多的電容進(jìn)行復(fù)雜的搭配，只要出好聲，電容數(shù)量越少越好。

下面就到了數(shù)模轉(zhuǎn)換部分了。無(wú)論你采用了何種手段，轉(zhuǎn)到這一部分的信號(hào)都有很大的失真了，因此在這一階段，修飾是必須的。當(dāng)然我們的修飾的同時(shí)也不能不考慮還原，因此此時(shí)我們能選擇的濾波電容只能是rifa了。由于RIFA電容相對(duì)比較好找，因此我們可以用從大到小的方式選擇同一系列的產(chǎn)品，同時(shí)需要你搭配一些薄膜電容，在濾波時(shí)使用薄膜電容可以有效的提高線性。但是薄膜電容對(duì)音色也會(huì)產(chǎn)生影響，比如說(shuō)rifa電容的膽味是非常豐富的，但是你使用了薄膜電容后，會(huì)使的膽味降低，而且薄膜電容用的容量越大，膽味就越淡，與此同時(shí)聲音層次卻越來(lái)越豐富。根據(jù)我的試驗(yàn)情況來(lái)看，薄膜電容用得多了后，高音會(huì)受一定影響，不如原來(lái)得RIFA電解燦爛，但是低音的質(zhì)感和亮感都非常好，至于你怎么做，需要按你的口味來(lái)決定，我建議大家在47u還可以用電解，比這再小的還是用薄膜電容比較好，可以使用22U，10U,4.7Urifa薄膜電容就可以，這些電容市場(chǎng)上量很大，下面的2u的電容非常重要，最好使用我上面那篇文章中提高的那款rifa鋁殼電容，對(duì)音質(zhì)有極大的影響，尤其時(shí)你使用了薄膜電容使得高音變壞時(shí)，用這款RIFA電容更顯的必需。2U之下的電容可以用 ERO和思碧搭配，容量大的用思碧，容量較小的用ero，也可以思碧＋ero＋思碧+ero的方式搭配下去，容量漸次減小，但是最后一個(gè)容量最小的電容用 ero的，條件允許的話最好用銅箔給這個(gè)最后的電容做個(gè)外衣。在這一級(jí)，電容的總?cè)萘靠刂圃?000以下，容量太大，聲音會(huì)過(guò)于厚重，缺乏靈性。

除了濾波電容外，在這一塊還用了很多的電解電容，16v以下47u以下的可以考慮用三洋固體電容，效果很不錯(cuò)，美中不足的是這種電容的耐壓不高，容量也很小，25v100u的都很難找到，其他的電解盡量用rifa，rifa消除數(shù)碼聲的效果非常明顯，在這一部分盡量多用。

下面就到了耦合電容了。一般的機(jī)器上對(duì)耦合電容都是比較在意的，在這里用的電解電容往往要比其他的電解電容明顯高級(jí)一些，但是我感覺(jué)到即使高級(jí)的電解此刻效果仍不如薄膜電容的效果好。最主要的差別是電解電容的聲音雜質(zhì)相對(duì)還是比較大的。建議大家全部用薄膜電容來(lái)搭配耦合電容。一般多比特機(jī)的耦合電容的容量是4.7u以下,單比特機(jī)在100u左右，現(xiàn)在市面上的cd大多數(shù)是100u左右的，可以用如下的方式來(lái)搭配，先選用4個(gè)22rifa薄膜電容，當(dāng)你用了這幾個(gè)電容后，你立即就會(huì)感覺(jué)到低頻的力度大大增強(qiáng)了，尤其是低頻的質(zhì)感很不錯(cuò)，比如說(shuō)我們經(jīng)常講的鼓錘和鼓皮的輕微的粘滯，都可以聽出來(lái)了。而且整個(gè)聲音的聲底相當(dāng)干凈，美中不足的是高頻的延展性變差了。不過(guò)不用擔(dān)心，下面我們開始對(duì)付高音。我們下面要用的是一個(gè)ero的4.7u的薄膜電容，用這個(gè)電容對(duì)這個(gè)中高頻做還原和修飾，然后用我們反復(fù)提到的rifa的2u的鋁殼電容，這個(gè)電容對(duì)整個(gè)高音十分重要，不但可以補(bǔ)足由于使用22u薄膜電容后損失的高音，而且還可以使高音非常燦爛和活躍。這個(gè)電容最好不要用其他品種的，我用了相當(dāng)多的電容做試驗(yàn)，發(fā)現(xiàn)都不能代替這個(gè)電容。再往下用上一個(gè)1u的思碧電容，這樣可以讓聲音變得疏松和自然，人為的修飾的痕跡也可以大大減弱，同時(shí)能讓機(jī)器的聲音顯得可愛。一般而言，這個(gè)電容也是不可以用其他廠家得電容替代的。在思碧的后面緊跟一個(gè)ero的0.47u的電容，對(duì)思碧進(jìn)行適當(dāng)?shù)氖湛s處理，使高頻的音場(chǎng)定位更加準(zhǔn)確。在你每放一步的時(shí)候，隨后必須跟一個(gè)收的動(dòng)作，這在摩機(jī)時(shí)相當(dāng)重要的。一般來(lái)說(shuō)。到了這個(gè)電容就可以完成搭配了，如果你覺(jué)得高音還不是很滿意的話，可以在后面再并上一0.22u的ero電容，注意最后一個(gè)電容仍然是ero，而且仍然用銅箔為它做個(gè)外衣。

耦合電容的總?cè)萘坎灰^(guò)原有電容的容量，容量大了聲音呆滯，一般略低一點(diǎn)比較好，但是也不能太低，有文獻(xiàn)說(shuō)如果用薄膜電容代替電解電容做耦合電容，容量只需要電解電容量的三分之二，甚至更低，我估計(jì)是這位聽友濾波電容放的太大了，以至于不得不減少耦合電容的量。如果你的耦合電容量大了，可以減少濾波電容，如果你的濾波電容量大了可以減少耦合電容的量，兩者之間在一定程度上可以互補(bǔ)。如果你是用rifa做濾波的話，濾波電容容量大了中音的諧音更豐富，膽味更濃，如果耦合電容大了，低音很有力也更有質(zhì)感。但是尋找兩者中間的最佳平衡點(diǎn)是非常非常困難的事情。根據(jù)我試驗(yàn)的情況看，耦合電容還是接近原有的容量比較好，先按照我上面所說(shuō)的方式把耦合電容固定下來(lái)，再去調(diào)整濾波部分，因?yàn)轳詈想娙菀坏┯昧吮∧る娙莺?，聲音?huì)很干凈這樣你可以更方便的調(diào)整濾波電容。

上文中所說(shuō)的電容的連接方式均為并聯(lián)。

用了這種方式摩機(jī)后，聲音會(huì)非常漂亮，你的機(jī)器會(huì)增添許多貴氣！但是新的問(wèn)題也出來(lái)了，那就是空間問(wèn)題。一般cd上用的4700u的電容不過(guò)大拇指那么大，3300的小一些，而100u的耦合電容只比玉米粒大一些，按照我說(shuō)的方式摩機(jī)后，你必須增加三塊電路板，原來(lái)兩個(gè)玉米粒也變成了巴掌大的一塊電路板，這就對(duì)空間提出了要求，建議盡量就近用搭兩層樓的方式進(jìn)行安裝，新加的電路板用銅箔包裹。如果你想利用機(jī)器的閑置空間安裝，那你新加的板子可能會(huì)離原來(lái)安裝電容的地方遠(yuǎn)一些，此時(shí)強(qiáng)烈建議你把每個(gè)板子上的最小容量的那個(gè)電容取下來(lái)，就近安在原來(lái)安裝電容的地方，否則會(huì)對(duì)高頻有所影響。

搭配電容是非常耗費(fèi)時(shí)間和金錢的事情。

ca相對(duì)分子質(zhì)量怎么樣

TCNQ是四氰代對(duì)二亞甲基苯醌，所有的C,N都參加了共軛體系，應(yīng)該是平面的。

kscn試劑作用

TCNQ是一種有機(jī)半導(dǎo)體，是一種絡(luò)合鹽。TCNQ在電容方面的應(yīng)用，是在90年代中后期才出現(xiàn)的，它的出現(xiàn)代表著電解電容技術(shù)革命的開始。TCNQ是一種有機(jī)半導(dǎo)體，因此使用TCNQ的電容也叫做有機(jī)半導(dǎo)體電容，例如早期的三洋OSCON產(chǎn)品。TCNQ的出現(xiàn)，使電解電容的性能可以直接挑戰(zhàn)傳統(tǒng)陶瓷電容霸占的很多領(lǐng)域，使電解電容的工作頻率由以前的20KHZ直接上升到了1MHZ。TCNQ的出現(xiàn)，使過(guò)去按照陽(yáng)極劃分電解電容性能的方法也過(guò)時(shí)了。因?yàn)榧词故顷?yáng)極為鋁的鋁電解電容，如果使用了TCNQ作為陰極材質(zhì)的話，其性能照樣比傳統(tǒng)鉭電容（鉭+二氧化錳）好得多。TCNQ的導(dǎo)電方式也是電子導(dǎo)電，其導(dǎo)電率為1S/CM，是電解液的100倍，二氧化錳的10倍。 使用TCNQ作為陰極的有機(jī)半導(dǎo)體電容，其性能非常穩(wěn)定，也比較廉價(jià)。不過(guò)它的熱阻性能不好，其熔解溫度只有230-240攝氏度，所以有機(jī)半導(dǎo)體電容一般很少用SMT貼片工藝制造，因?yàn)闊o(wú)法通過(guò)波峰焊工藝，所以我們看到的有機(jī)半導(dǎo)體電容基本都是插件式安裝的。TCNQ還有一個(gè)不足之處就是對(duì)環(huán)境的污染。由于TCNQ是一種氰化物，在高溫時(shí)容易揮發(fā)出劇毒的氰氣，因此在生產(chǎn)和使用中會(huì)有限制

全價(jià)肥是什么肥

坑肥因子就是土壤肥力因子。

土壤肥力是反映土壤肥沃性的一個(gè)重要指標(biāo)，它是衡量土壤能夠提供作物生長(zhǎng)所需的各種養(yǎng)分的能力。是土壤各種基本性質(zhì)的綜合表現(xiàn)，是土壤區(qū)別于成土母質(zhì)和其他自然體的最本質(zhì)的特征，也是土壤作為自然資源和農(nóng)業(yè)生產(chǎn)資料的物質(zhì)基礎(chǔ)。 土壤肥力按成因可分為自然肥力和人為肥力。前者指在五大成土因素（氣候、生物、母質(zhì)、地形和年齡）影響下形成的肥力，主要存在于未開墾的自然土壤；后者指長(zhǎng)期在人為的耕作、施肥、灌溉和其他各種農(nóng)事活動(dòng)影響下表現(xiàn)出的肥力，主要存在于耕作（農(nóng)田）土壤。

建議參考百度百科：http://baike.baidu.com/link?url=QPVmlhDJq3CO0qgNGHIxuoxZL-WugUOlsiTcNQDKvi_sn7Ob0TPlUCbZQ75W2B29OcPxvccq1VAEsNIZ45eZj_

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來(lái)自Urban Dictionary

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by Weesel January 29, 2005

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TTF-TCNQ復(fù)合物;四硫富瓦烯-7,7,8,8-四氰二甲烷喹啉;7,7,8,8-四氰基喹啉二甲烷四硫富瓦烯鹽;四硫富瓦烯-7,7,8,Chemicalbook8-四氰基對(duì)醌二甲烷復(fù)合物;四硫富瓦烯7,7,8,8-四氰基對(duì)二次甲基苯醌鹽;四硫富瓦烯-7,7,8,8-四氰基對(duì)醌二甲烷復(fù)合物(>98.0%(N))。